法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-05-20
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/38 授权公告日:20090603 终止日期:20140331 申请日:20050331
专利权的终止
2009-06-03
授权
授权
2007-05-23
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-03-28
公开
公开
机译: III族元素氮化物晶体的制造方法,所用的制造装置以及由此制造的半导体元件
机译: III族元素氮化物晶体的制造方法,III族元素氮化物晶体,半导体装置,半导体装置的制造方法以及III族元素氮化物晶体的制造装置
机译: III族元素氮化物晶体的制造方法,III族元素氮化物晶体,半导体装置,半导体装置的制造方法以及III族元素氮化物晶体制造装置