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一种用于深紫外LED光抽取效率提高的铝铑纳米颗粒阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种用于深紫外LED光抽取效率提高的铝铑纳米颗粒阵列的制备方法,其特征在于:在深紫外LED表面沉积铝纳米颗粒阵列,在所述铝纳米颗粒阵列外进一步沉积有铑壳层。本发明方法制得铝铑核壳结构纳米颗粒阵列,纳米颗粒尺寸密度可调控,有利于制备电学/光电器件。采用铝纳米颗粒阵列+铑壳层的结构可在大幅提高器件光抽取效率的同时,增强器件稳定性并降低生产成本。同时,本制备方法条件简单,不需要复杂设备,在规模化工业生产中具有良好的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN110854252B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 厦门钜智光电有限公司;

    申请/专利号CN201911162736.8

  • 发明设计人 黄凯;刘春雷;

    申请日2019-11-25

  • 分类号H01L33/46(20100101);H01L33/00(20100101);

  • 代理机构50240 重庆天成卓越专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人谭春艳

  • 地址 361000 福建省厦门市同安区美溪道湖里工业园73号2楼

  • 入库时间 2022-08-23 11:21:57

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