一种制备大面积铜Cu（111）单晶的方法

摘要

本发明公开了一种制备大面积单晶Cu(111)的方法。该方法包括如下步骤：将多晶铜箔进行若干次处理，得到所述单晶Cu(111)；每次处理均为先抛光，后退火。上述方法中，若干次至少为3次；具体为3次或4次。利用该方法所得铜箔的晶面均为(111)面，且单晶Cu(111)的面积仅仅受限于制备容器的大小，从而实现了单晶Cu的大面积制备，具有重要的应用价值。