一种二维GeTe单晶纳米片及其在相变存储中的应用

摘要

本发明属于半导体材料领域，涉及一种二维GeTe单晶纳米片及其制备方法，以及在相变存储中的应用。本发明提供的这种二维GeTe单晶纳米片的制备方法，包括以下步骤：将GeTe粉末作为前驱体放置于管式炉的中心，两片云母以垂直堆叠的方式放置于管式炉下游，其中云母边沿位置与管式炉中心位置距离为11cm‑13cm，载气为氩气，氩气流量速度为95‑105sccm；将中心温区加热至保温温度，制备过程中，保持管式炉内部在氩气气氛下处于100KPa‑101KPa，保温时间结束后，使得反应物降温至常温即可。本发明提供的这种二维GeTe单晶纳米片在常压下的双稳态晶相可逆转变存储机制将为进一步实现具有低的触发能量势垒、低功率损耗和高操作速度的新型晶相间相变储存器打下基础。