基于真空粘合工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法

摘要

基于真空粘合工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，涉及微电子技术领域，该方法包括步骤：1、在双抛光1#<100>硅基片双表面淀积氮化硅薄膜；2、在正面氮化硅薄膜上淀积多晶硅薄膜，进行硼掺杂，光刻，刻蚀多晶硅薄膜，清洗处理表面；3、正面光刻，蒸金，剥离，形成布线图形；4、在背面氮化硅薄膜上光刻、刻蚀氮化硅薄膜，形成背面腔体和划片槽腐蚀窗口图形；5、正面保护，腐蚀背硅，形成腔体和划片槽；6、将单抛光2#<100>硅基片划片；7、将1-5步操作后的1#硅片划片；8将划好的1#硅片背面与划好的2#硅片的抛光面真空粘合。