法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-04-17
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N 21/35 授权公告日:20080827 终止日期:20170325 申请日:20040325
专利权的终止
2011-06-29
专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):G01N 21/35 合同备案号:2011990000328 让与人:上海交通大学 受让人:北京捷宸阳光科技发展有限公司 发明名称:完整的间接带隙半导体材料参数拟合方法 公开日:20050112 授权公告日:20080827 许可种类:独占许可 备案日期:20110503 申请日:20040325
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
2011-06-29
专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):G01N 21/35 合同备案号:2011990000328 让与人:上海交通大学 受让人:北京捷宸阳光科技发展有限公司 发明名称:完整的间接带隙半导体材料参数拟合方法 公开日:20050112 授权公告日:20080827 许可种类:独占许可 备案日期:20110503 申请日:20040325
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
2008-08-27
授权
授权
2008-08-27
授权
授权
2005-03-09
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-03-09
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-01-12
公开
公开
2005-01-12
公开
公开
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机译: 具有间接带隙半导体材料的量子阱有源区的半导体发光器件
机译: 间接带隙半导体材料中形成的同位素结构
机译: 间接带隙半导体材料中形成的同位素结构