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复合磁路结构直流真空灭弧室及其应用的直流真空开关

摘要

复合磁路结构直流真空灭弧室及其应用的直流真空开关,该直流真空灭弧室包括真空灭弧室瓷壳,真空灭弧室瓷壳外侧配置的静侧永磁体组合结构和动侧永磁体组合结构,真空灭弧室瓷壳内侧的瓷壳内侧导磁件、静侧触头组合结构、动侧触头组合结构、静侧触头环形导磁结构和动侧触头环形导磁结构;该直流真空开关包括复合磁路结构直流真空灭弧室和与其相匹配的操动机构;本发明通过动、静侧永磁体组合结构、真空灭弧室瓷壳内侧导磁件和动、静侧触头环形导磁结构,在动、静侧触头结构间隙产生复合磁路磁场;实现了永磁体结构对于杯状触头间隙真空电弧的横向磁场作用的基础条件下,优化了永磁体的布置方式,减小真空灭弧室的体积,加强了横向磁场的作用,可用于直流电流的真空开断。

著录项

  • 公开/公告号CN110853972B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN201911076993.X

  • 申请日2019-11-06

  • 分类号H01H33/664(20060101);

  • 代理机构61215 西安智大知识产权代理事务所;

  • 代理人何会侠

  • 地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

  • 入库时间 2022-08-23 11:19:00

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