公开/公告号CN85101874B
专利类型发明专利
公开/公告日1988-08-17
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院长春应用化学研究所;
申请/专利号CN85101874
申请日1985-04-01
分类号B01D11/00;C01F17/00;
代理机构中国科学院长春专利事务所;
代理人宋天平;曹桂珍
地址 吉林省长春市斯大林大街109号
入库时间 2022-08-23 08:54:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
1988-08-17
审定
审定
1986-07-30
公开
公开
1985-09-10
实质审查请求
实质审查请求
机译: 用于生产高纯度二氧化硅的集成系统用于在基材上生产纯二氧化硅涂层的方法。用于制备高纯度二氧化硅的方法。用于将高纯度氧气分配到容器中的集成系统氧化硅氧化炉,用于使用高纯氧制备高纯氧化硅
机译: 高纯氢氧化钙粉,高纯碳酸钙粉,高纯氧化钙粉及其生产工艺
机译: 氢气气氛下高纯二氧化钒的合成方法及用该方法制备的高纯二氧化钒的合成方法