公开/公告号CN110408810B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-27
原文格式PDF
申请/专利权人 昆明理工大学;昆明鼎邦科技股份有限公司;
申请/专利号CN201910608930.8
申请日2019-07-08
分类号C22C1/08(20060101);C22B34/12(20060101);C22B5/04(20060101);
代理机构11569 北京高沃律师事务所;
代理人董大媛
地址 650504 云南省昆明市一二一大街文昌路68号
入库时间 2022-08-23 11:18:57
机译: 具有高含量的钛孤立原子的具有高含量的多孔钛硅石,一种生产钛原子的方法,一种制备钛的方法,一种制备均质的方法和一种均质的方法以及一种方法用于生产均相和介孔的钛硅石异质的钛硅石
机译: 接触电阻小的多孔钛板及制备多孔钛板的方法
机译: 一种通过电泳在基材上制备含多孔tioφ2φ的层的方法以及使用tioφ2φ涂层的载体的方法