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一种CVD石墨烯的无污染转移工艺获得氧化石墨烯与石墨烯复合结构的复合薄膜及方法

摘要

本发明公开一种CVD石墨烯的无污染转移工艺获得氧化石墨烯与石墨烯复合结构的复合薄膜及方法,过程为:先在具有金属衬底的CVD石墨烯的石墨烯表面旋涂氧化石墨烯分散液,得到结构A;再将结构A在40‑80℃烘1‑60分钟;再去除结构A的金属衬底,得到氧化石墨烯与石墨烯复合结构的复合薄膜;再对得到的复合薄膜进行漂洗,得到干净的复合薄膜。本发明能够克服石墨烯转移过程中引入的有机残留污染和产生裂纹和褶皱的问题,同时制备的氧化石墨烯与石墨烯复合结构的复合薄膜很好的弥补了石墨烯的不足,使其性能得到了极大地提高。

著录项

  • 公开/公告号CN108910870B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201810803422.0

  • 申请日2018-07-20

  • 分类号C01B32/194(20170101);C01B32/198(20170101);G01N27/12(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人徐文权

  • 地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

  • 入库时间 2022-08-23 11:18:44

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