公开/公告号CN109300750B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-23
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN201811006225.2
申请日2018-08-30
分类号H01J1/304(20060101);
代理机构11302 北京华沛德权律师事务所;
代理人房德权
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2022-08-23 11:18:11
机译: 冷阴极场电子发射显示装置的阴极板的测试方法,冷阴极场电子发射显示装置的制造方法以及冷阴极场电子发射显示装置的制造方法
机译: 用于冷阴极场电子发射显示器的阳极面板,其制造方法,用于冷阴极场电子发射显示器的阴极面板,其制造方法,相同的冷阴极场电子发射显示器及其制造方法
机译: 对厚膜糊料层进行构图的方法,冷阴极场电子发射装置的制造方法,冷阴极场电子发射装置的制造方法以及冷阴极场电子发射显示器的制造