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一种提高GaAs光电阴极量子效率和寿命的激活方法

摘要

本发明公开了一种提高GaAs光电阴极量子效率和寿命的激活方法,即在超高真空激活系统中,采用波长为532nm的单色光源替代传统的卤坞灯光源进行激活。其激活步骤包括:1.对待激活的GaAs样品进行化学清洗;2.对化学清洗后的样品进行高温净化;3.采用波长为532nm的单色光源照射阴极表面,通过Cs源持续,氧源断续的工艺对样品进行激活。通过上述方法所获得的GaAs光电阴极在量子效应和稳定性上都有了明显提高。

著录项

  • 公开/公告号CN109427518B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京理工大学;

    申请/专利号CN201710782391.0

  • 申请日2017-09-02

  • 分类号H01J9/12(20060101);

  • 代理机构32203 南京理工大学专利中心;

  • 代理人马鲁晋

  • 地址 210094 江苏省南京市孝陵卫200号

  • 入库时间 2022-08-23 11:17:38

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