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一种合成具有三维连续纳米孔道结构氧化硅薄片的方法

摘要

本发明是一种合成具有三维连续纳米孔道结构的氧化硅薄片的方法。现有的氧化硅类薄片材料主要包括层状硅酸盐和层状中孔氧化硅,但是由于这些材料的层板一般都是封闭的,客体分子只能通过层板间隙扩散进入材料内部。本发明方法利用硅酯作为硅源,长链烷基伯胺作为模板剂,在醇/水混和溶剂中常温条件下合成了具有三维连续纳米孔道结构的氧化硅薄片。同时通过调节反应物的配比,可以在纳米级到亚微米级范围内控制薄片的厚度。该制备方法操作简便,成本低廉,由于氧化硅薄片的表面有丰富的孔口,非常有利于客体分子的扩散,可以用作吸附剂或催化剂载体。

著录项

  • 公开/公告号CN100410171C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-08-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 复旦大学;

    申请/专利号CN200510023919.3

  • 发明设计人 山巍;王波;唐颐;

    申请日2005-02-06

  • 分类号C01B33/12(20060101);B01J20/10(20060101);B01J21/08(20060101);

  • 代理机构31200 上海正旦专利代理有限公司;

  • 代理人姚静芳;王福新

  • 地址 200433 上海市邯郸路220号

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-04-18

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 33/12 授权公告日:20080813 终止日期:20110206 申请日:20050206

    专利权的终止

  • 2008-08-13

    授权

    授权

  • 2005-12-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-10-19

    公开

    公开

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