公开/公告号CN111254383B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-25
原文格式PDF
申请/专利权人 上海陛通半导体能源科技股份有限公司;
申请/专利号CN202010218488.0
申请日2020-03-25
分类号C23C14/00(20060101);C23C14/34(20060101);C23C14/35(20060101);
代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);
代理人余明伟
地址 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区郭守敬路498号8幢19501-19503室
入库时间 2022-08-23 11:15:07
机译: 用于改善物理气相沉积系统中的膜均匀性的设备和方法
机译: 用于改善物理气相沉积系统中的膜均匀性的设备和方法
机译: 源磁体,用于改善直接电流(DC)物理气相沉积(PVD)过程中的重新均匀性