一种低温下具有阈值电阻转变功能的材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低温下具有阈值电阻转变功能的材料及制备方法，具有多层堆叠的三维结构，自下而上分别为铝质背电极层、p型重掺杂硅片层、氮化硅层、金属上电极层。本发明采用硅基材料，与传统CMOS集成电路工艺相兼容；将SiN材料组装成器件Ag/SiN/p‑Si/Al，器件Ag/SiN/p‑Si/Al在210K的温度下，具有典型的阈值电阻转变特征。