公开/公告号CN106356084B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-22
原文格式PDF
申请/专利权人 爱思开海力士有限公司;
申请/专利号CN201510970840.5
发明设计人 金熙相;
申请日2015-12-22
分类号G11C7/06(20060101);G11C7/08(20060101);
代理机构11363 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人俞波;许伟群
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 11:14:21
机译: 使用位线感测放大器实现全VDD位线预充电方案的半导体存储器,能够通过使用位线感测放大器对位线进行预充电
机译: 能够补偿晶体管之间的失配的位线感测放大器以及包括该位线感测放大器的半导体存储装置
机译: 采用具有通过栅极偏置控制的感测方向的位线感测放大器的存储装置和位线感测方法