一种基于环电流的漏磁仿真方法

摘要

本发明公开了一种基于环电流的漏磁仿真方法，通过立体角的方法，推导出单个环电流的磁场分布，再分析磁介质磁化状态下环电流的排列，得出用半无限长螺线管模型描述漏磁场的结论，并给出公式；为得到准静态漏磁场的磁场强度分布，引入JA磁滞模型，分析缺陷面处的环电流的分布与激励磁场值的关系，结合上述的螺线管模型，推导出准静态漏磁场的磁场强度分布。本发明通过引入磁滞模型和缺陷面法向量克服了磁偶极子模型的上述不足，得到的模型公式简单有效，相对于有限元法效率更高，且漏磁信号和缺陷形状的函数关系可由公式直接推导。