一种在电极上直接生长ZnO纳米线制备气敏元件的方法

摘要

本发明公开了一种在电极上直接生长ZnO纳米线制备气敏元件的方法，包括如下具体步骤：称量0.4‑0.6g的Zn前驱体，将其溶于50mL去离子水中形成Zn前驱体溶液，持续搅拌；将1.4‑1.6mL氨水逐滴加入Zn前驱体溶液中，继续搅拌6‑10min后置于高压反应釜中，溶液高度至高压反应釜1/2～2/3高度处；将电极片浸入到高压反应釜溶液中，反应釜盖拧紧密封进行水热反应，水热温度70‑80℃，20‑30h后反应结束，干燥，再将电极片在100‑500℃下焙烧，得到气敏元件。本发明ZnO纳米线气敏材料形貌均一，比表面积大，避免了材料涂抹电极过程中不均匀的问题，也避免了气敏材料在电极上的脱落问题。