公开/公告号CN107785263B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-04
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾半导体股份有限公司;
申请/专利号CN201610738947.1
申请日2016-08-26
分类号H01L21/336(20060101);H01L21/28(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/423(20060101);
代理机构72003 隆天知识产权代理有限公司;
代理人李昕巍;章侃铱
地址 中国台湾新北市
入库时间 2022-08-23 11:12:28
机译: 功率半导体元件及其制造方法具有场电极结构,该场电极结构具有至少两个第一场电极和第二场电极,第二场电极在第二方向上彼此隔开
机译: 包括具有栅电极和场电极的场效应晶体管结构的集成电路以及制造和操作集成电路的方法
机译: 包括具有栅电极和场电极的场效应晶体管结构的集成电路以及制造和操作集成电路的方法