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具有多重宽度电极结构的场效晶体管及其制造方法

摘要

一种具有多重宽度电极结构的场效晶体管及其制造方法,场效晶体管中的半导体基板上的磊晶层开设有一沟槽,且沟槽内设有氧化层,而氧化层上设有具有第一宽度与第一高度的第一电极部与具有第二宽度与第二高度的第二电极部。栅极氧化层覆盖于氧化层及第二电极部上,栅极氧化层上设有具有第三宽度的栅极部,磊晶层中设有邻近于栅极部处的本体区及源极区,且源极区与栅极部上覆盖有层间介电层。源极电极覆盖本体区与层间介电层并接触于源极区。其中,第一高度大于或等于第二高度,第一宽度小于第二宽度,第二宽度小于第三宽度。

著录项

  • 公开/公告号CN107785263B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN201610738947.1

  • 申请日2016-08-26

  • 分类号H01L21/336(20060101);H01L21/28(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/423(20060101);

  • 代理机构72003 隆天知识产权代理有限公司;

  • 代理人李昕巍;章侃铱

  • 地址 中国台湾新北市

  • 入库时间 2022-08-23 11:12:28

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