改变拉曼光谱探测倾角的单晶硅主应力检测方法和装置

摘要

本发明提供了改变拉曼光谱探测倾角的单晶硅主应力检测方法和装置，包括：获取被测样品和被测样品的主应力方向夹角；设定入射光偏振角和散射光偏振角；设定探测倾角；根据主应力方向夹角、探测倾角、入射光偏振角和散射光偏振角，得到主应力和的频移系数和主应力差的频移系数；获取第一探测倾角对应的第一拉曼频移增量及第二探测倾角对应的第二拉曼频移增量；根据探测倾角对应的拉曼频移增量与第一主应力和第二主应力之间的线性关系、第一拉曼频移增量、第二拉曼频移增量、主应力和的频移系数和主应力差的频移系数，得到第一主应力和第二主应力。本发明适用于单晶硅{100}晶面的两个主应力解耦分析，能够有效表征出真实的应力状态与应力水平。