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多栅指电极的电子束光刻方法及多栅指电极

摘要

本发明适用于半导体技术领域,提供了一种多栅指电极的电子束光刻方法及多栅指电极。多栅指电极的电子束光刻方法包括:在基片表面涂覆电子束光刻胶;根据版图图形对涂覆电子束光刻胶后的基片进行电子束曝光处理;其中,所述版图图形包括连接臂图形、多个并排排列的栅指图形和至少两个虚拟栅指图形,所述连接臂图形与各个栅指图形的一端连接,所述虚拟栅指图形分别设置在最外侧两个栅指图形的外侧,且所述虚拟栅指图形与所述连接臂图形相隔预设间隔;对电子束曝光处理后的基片进行显影处理。本发明能够制备尺寸均匀的多栅指电极,提高器件的可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN109003893B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201810845865.6

  • 申请日2018-07-27

  • 分类号H01L21/027(20060101);H01L21/28(20060101);H01L29/423(20060101);

  • 代理机构13120 石家庄国为知识产权事务所;

  • 代理人王政

  • 地址 050051 河北省石家庄市新华区合作路113号

  • 入库时间 2022-08-23 11:12:16

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