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公开/公告号CN109003893B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-01
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第十三研究所;
申请/专利号CN201810845865.6
发明设计人 韩婷婷;冯志红;吕元杰;敦少博;顾国栋;
申请日2018-07-27
分类号H01L21/027(20060101);H01L21/28(20060101);H01L29/423(20060101);
代理机构13120 石家庄国为知识产权事务所;
代理人王政
地址 050051 河北省石家庄市新华区合作路113号
入库时间 2022-08-23 11:12:16
机译: 具有叉指电极的晶体管,包括通过多个垂直通孔连接到栅电极的栅极端子
机译: 垂直功率MOS组件绝缘栅双极型晶体管,具有P型掺杂区域,该区域垂直延伸穿过硅片,并且在栅指和漏指之间的导通区从漏指的方向沿环向延伸
机译: 包括栅电极走线的集成电路,每个栅电极走线形成不同晶体管类型的栅电极,中间插入非门形成栅电极走线
机译:用绝缘栅隔开硅化钽电极的叉指电极阵列的表征
机译:利用等离子体形成和利用异质栅介质缩短栅电极来改善物理掺杂TFET静电行为的新方法
机译:真空金属化栅电极在顶栅固态电解质栅有机晶体管中的作用
机译:具有小电阻长指栅电极的新型小电容RF-MOSFET
机译:氮结合的氧化f栅介电薄膜和钛基金属栅电极用于双栅应用。
机译:栅电极中电极距离的影响:数值模型和体外测试
机译:基于指栅 - 刚度模型的人手指敲击力估计
机译:含有和不含超导栅电极的砷化铝镓/砷化镓高电迁移率晶体管噪声性能的比较研究