一种面内读/写操作铁电忆阻器及其制备方法

摘要

本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种面内读/写操作的非易失性铁电忆阻器及其制备方法和操作方法。该铁电忆阻器包括铁电薄膜层及设置在铁电薄膜层表面的读写电极对，其中，读写电极对之间的间隙为不规则图形，铁电薄膜层的电畴的极化方向不平行于读写电极平面的法线方向；在读写电极对上偏置某一方向的写电压操作时，可实现随不同写电压变化而存储不同信息。本发明的铁电忆阻器可以实现随写电压连续变化以电流方式非破坏性读出，适合于高密度应用，并且制备简单、成本低。