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用于真空处理设在基板上的薄膜晶体管(TFT)沟道的方法、薄膜晶体管和用于真空处理基板的设备

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提供一种用于真空处理基板(10)的方法。所述方法包括：使用设在处理区域(110)中的注入源(130)用粒子来辐照基板(10)或基板(10)上的第一材料层；和在用粒子辐照基板(10)或第一材料层时，使基板(10)沿着运输路径(20)移动而通过处理区域(110)。

著录项

公开/公告号CN108699669B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-01

原文格式PDF
申请/专利权人应用材料公司;
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申请/专利号CN201780012379.X
发明设计人马库斯·哈尼卡;约瑟夫·C·奥尔森;彼得·F·库伦齐;尹东基;马库斯·本德;
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申请日2017-02-09
分类号C23C14/02(20060101);C23C14/48(20060101);C23C14/56(20060101);H01L21/26(20060101);H01L21/687(20060101);
代理机构11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司;
代理人徐金国;赵静
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 11:12:03

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