首页> 中国专利> 单层双材料微悬臂梁热隔离焦平面阵列的制作方法

单层双材料微悬臂梁热隔离焦平面阵列的制作方法

摘要

一种单层双材料微悬臂梁热隔离焦平面阵列的制作方法,包括:1.在单晶硅基片上双面生长氮化硅薄膜;2.用加热的氢氧化钾溶液各向异性腐蚀氮化硅;3.在正面甩正性光刻胶;4.在背面甩正性光刻胶,光学光刻背面窗口图形;5.各向异性刻蚀有光刻图形面;6.去除光刻胶;7.在正面甩正性光刻胶,光学光刻正面氮化硅梁图形;8.在有光刻图形的一面蒸发、剥离铬薄膜;9.各向异性刻蚀有铬薄膜覆盖的氮化硅;10.各向同性腐蚀去除铬薄膜;11.在有氮化硅梁图形的正面甩正性光刻胶,光学光刻正面隔离金图形;12.蒸发、剥离金;13.用加热的氢氧化钾溶液各向异性腐蚀基片,完成镂空的双材料微悬臂梁热隔离结构焦平面阵列的制作。

著录项

  • 公开/公告号CN100396593C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN200510011988.2

  • 发明设计人 李超波;陈大鹏;叶甜春;王玮冰;

    申请日2005-06-23

  • 分类号B81C1/00(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周国城

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-08-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B81C 1/00 授权公告日:20080625 终止日期:20160623 申请日:20050623

    专利权的终止

  • 2009-09-02

    专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20090724 申请日:20050623

    专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)

  • 2009-09-02

    专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20090724 申请日:20050623

    专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)

  • 2008-06-25

    授权

    授权

  • 2008-06-25

    授权

    授权

  • 2007-02-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-02-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-12-27

    公开

    公开

  • 2006-12-27

    公开

    公开

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