公开/公告号CN100394604C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-06-11
原文格式PDF
申请/专利权人 马维尔世界贸易股份有限公司;
申请/专利号CN200510080431.4
发明设计人 王知行;
申请日2005-07-01
分类号
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所;
代理人刘新宇
地址 巴巴多斯圣麦克市
入库时间 2022-08-23 09:00:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-06-21
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/10 授权公告日:20080611 终止日期:20180701 申请日:20050701
专利权的终止
2008-06-11
授权
授权
2008-06-11
授权
授权
2008-06-11
授权
授权
2007-12-26
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20071123 申请日:20050701
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2007-12-26
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20071123 申请日:20050701
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2007-12-26
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 登记生效日:20071123 变更前: 变更后: 申请日:20050701
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2007-12-26
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20071123 申请日:20050701
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2006-03-22
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-03-22
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-03-22
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-01-25
公开
公开
2006-01-25
公开
公开
2006-01-25
公开
公开
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机译: 可编程电荷存储晶体管,一系列向上延伸的存储单元串,Si3Nx的形成方法,在控制栅和可编程电荷存储晶体管的电荷存储材料之间的绝缘体材料的形成方法,阵列的形成方法高扩展性的存储单元串,根据方法制造的可编程电荷存储晶体管以及高扩展性的存储单元串根据方法制造
机译: 可编程电荷存储晶体管,存储单元的高伸缩字符串阵列,Si3Nx的形成方法,在控制栅极和可编程电荷存储晶体管的电荷存储材料之间的绝缘体材料的形成方法,阵列的形成方法单元的高伸缩字符串,根据方法制造的可编程电荷存储晶体管以及一系列的高伸缩存储单元字符串
机译: 高容量存储单元-在绝缘层中使用带有电荷图案的金属-绝缘体-半导体-金属电容器