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硅和铌酸锂混合集成光调制器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种硅和铌酸锂混合集成光调制器,包括绝缘体上硅基光波导结构、光学分束结构、硅楔形波导光学模式转换结构、键合介质层、铌酸锂波导、信号金属电极和接地金属电极,其中绝缘体上硅基光波导结构与光学分束结构的输入端连接,光学分束结构的两个输出端分别通过硅楔形波导光学模式转换结构与铌酸锂波导连接;所述信号金属电极设置在铌酸锂波导结构相对的一侧;接地金属电极设置在铌酸锂波导结构相背的一侧;所述混合集成光调制器是一种双层结构:硅基光波导结构、光学分束结构、硅楔形波导光学模式转换结构设置在键合介质层内,铌酸锂波导、信号金属电极和接地金属电极设置在键合介质层上方。

著录项

  • 公开/公告号CN109116590B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中山大学;

    申请/专利号CN201810467755.0

  • 发明设计人 蔡鑫伦;何名博;徐梦玥;

    申请日2018-05-16

  • 分类号G02F1/03(20060101);G02F1/035(20060101);

  • 代理机构44102 广州粤高专利商标代理有限公司;

  • 代理人林丽明

  • 地址 510275 广东省广州市海珠区新港西路135号

  • 入库时间 2022-08-23 11:11:49

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