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电子设备,半导体器件,以及适用于制造此类器件的方法

摘要

本发明的一个目的是提供一种高可靠性EL显示器件以及制造该显示器件的方法,它可以屏蔽侵入的潮气或氧,这是劣化EL元件性能的一个因素,而没有增大EL显示器件。在本发明中,涂敷作为一种方法,用于形成高热稳定性平整薄膜16,典型的是,TFT的中间绝缘薄膜(作为以后发光元件的基础薄膜),在该薄膜中,采用硅(Si)和氧(O)的组合构成主干结构。在形成之后,再形成具有锥形形状的边缘部分和开孔部分。此后,添加具有相对较大原子半径的惰性元素产生变形,以改进或高密度化其表面(包括侧面),从而防止潮气或氧的侵入。

著录项

  • 公开/公告号CN100392876C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-06-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社半导体能源研究所;

    申请/专利号CN200410076977.8

  • 发明设计人 山崎舜平;永井雅晴;中村理;

    申请日2004-08-30

  • 分类号H01L33/00(20060101);H01L21/00(20060101);H05B33/10(20060101);H05B33/04(20060101);H05B33/12(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人钱慰民

  • 地址 日本神奈川县

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-06-04

    授权

    授权

  • 2006-09-20

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-03-09

    公开

    公开

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