公开/公告号CN100392876C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-06-04
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社半导体能源研究所;
申请/专利号CN200410076977.8
申请日2004-08-30
分类号H01L33/00(20060101);H01L21/00(20060101);H05B33/10(20060101);H05B33/04(20060101);H05B33/12(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人钱慰民
地址 日本神奈川县
入库时间 2022-08-23 09:00:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-06-04
授权
授权
2006-09-20
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-03-09
公开
公开
机译: 薄膜半导体器件,薄膜半导体器件制造方法,液晶显示器件,液晶显示器件制造方法,电子器件,电子器件制造方法以及薄膜半导体器件,液晶显示器,液晶显示器的制造工艺,电子设备。电子设备的制造工艺和薄膜沉积工艺)
机译: 半导体器件,半导体器件的制造方法,半导体器件的设计方法,光电器件,电子设备,光电器件的制造方法以及电子器件的制造方法
机译: 掺杂的细长半导体,生长此类半导体,包括此类半导体的器件以及制造此类器件的方法