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一种基于光电二极管阵列的辐照强度分布测量方法

摘要

一种基于光电二极管阵列的辐照强度分布测量方法,利用光电二极管光生电流与辐照强度成正比的关系,将辐照强度测量转换为光电二极管光生电流的测量,在需要进行辐照强度测量的平面上布置光电二极管阵列,从而以光电二极管阵列的光生电流分布反映辐照强度的分布。本发明可以测量辐照强度的分布,而且光电二极管的有效受光面积较小,相邻辐照强度测量点之间步长较短,保证了测量的精度。而且采用两排光电二极管插空排列的方式弥补了因边框和正负接线端占用的面积,做到了在一个方向上辐照强度分布完全覆盖。另外,可以定量评估辐照强度分布的非均匀度,为进一步探索辐照强度非均匀性对聚光光伏光热系统总体性能参数的影响作了铺垫。

著录项

  • 公开/公告号CN110793628B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN201910995363.6

  • 申请日2019-10-18

  • 分类号

  • 代理机构西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人郭瑶

  • 地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号

  • 入库时间 2022-08-23 11:10:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-18

    授权

    授权

  • 2020-03-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01J1/42 申请日:20191018

    实质审查的生效

  • 2020-02-14

    公开

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