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一种使用中性模板剂常温合成片层中微双孔HKUST-1材料的方法

摘要

本发明公开了一种使用中性模板剂常温合成片层中微双孔HKUST‑1材料的方法。该方法包括如下步骤:一、将ZnO溶于水和N,N‑二甲基甲酰胺的混合溶液中,超声;二、将三水合硝酸铜溶于水中并充分搅拌至澄清;三、将步骤一和步骤二中的溶液混合,搅拌;四、将均苯三甲酸和模板剂十六烷基溴溶于乙醇中搅拌;五、将步骤三和步骤四中的溶液混合,搅拌;六、将所得产物抽滤、干燥,得到中微双孔HKUST‑1材料。本发明通过加入十六烷基溴作为模板剂,不仅操作简便,条件温和,同时也缩短了合成时间。产物呈现出片层结构,具有丰富的孔道,同时具有微孔、介孔两种孔道,不仅结构稳定,在大分子的吸附和催化方面也有较好的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN107266703B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN201710378541.1

  • 申请日2017-05-25

  • 分类号

  • 代理机构广州粤高专利商标代理有限公司;

  • 代理人何淑珍

  • 地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2022-08-23 11:09:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-18

    授权

    授权

  • 2017-11-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):C08J9/28 申请日:20170525

    实质审查的生效

  • 2017-10-20

    公开

    公开

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