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一种基于二氧化钒的动态控制太赫兹超表面器件

摘要

一种基于二氧化钒的动态控制太赫兹超表面器件,属于电磁功能器件技术领域。该超表面器件包括基底,形成于基底之上的表面磁场增强结构,以及形成于基底下表面的金属层;其中,所述磁场增强结构包括多个阵列排列的单元结构,所述单元结构包括阿基米德螺旋线和长条形二氧化钒。本发明超表面器件中,采用二氧化钒与金属结合形成表面磁场增强结构,在激光照射下,该超表面器件的表面磁场与入射磁场相比增强了124.48倍,实现了表面磁场的增强;而在无激光照射下,该超表面器件的表面磁场与入射磁场相比仅增强1.57倍,两者相差79倍,实现了表面磁场的动态调控,可以视为一种开关。

著录项

  • 公开/公告号CN110488509B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201910703195.9

  • 申请日2019-07-31

  • 分类号

  • 代理机构电子科技大学专利中心;

  • 代理人吴姗霖

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 11:09:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-11

    授权

    授权

  • 2019-12-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02F1/00 申请日:20190731

    实质审查的生效

  • 2019-11-22

    公开

    公开

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