法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-11
授权
授权
2017-11-03
实质审查的生效 IPC(主分类):G06Q10/04 申请日:20170413
实质审查的生效
2017-10-03
公开
公开
机译: 形成GaN单晶的方法,包括在第一区域中设置成核中心,第二区域中的GaN源材料,并建立温度分布
机译: 一种将数据的真实手段从第一存储器阵列的第一区域中的第一地址转移到计算机的数据存储器中的第二存储器阵列的第二区域中的第二地址的过程
机译: 雨刮片,例如乘用车的蝴蝶刮水器系统,其第一长度区域连接到第二长度区域并且没有开口,并且第三区域布置成与第一区域相对,其中开口的一部分布置在第三区域中