具有金属栅的分裂栅非易失性闪存存储器单元及其制造方法

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器单元，该非易失性存储器单元包括第一导电类型的衬底，该第一导电类型的衬底具有第二导电类型的第一区域、该述第二导电类型的与该第一区域间隔开的第二区域，在第一区域和第二区域之间形成沟道区域。浮栅被设置在与第一区域相邻的沟道区域的第一部分上方并与其绝缘。选择栅被设置在与第二区域相邻的沟道区域的第二部分上方，该选择栅由金属材料形成并且通过二氧化硅层和高K绝缘材料层而与沟道区域的第二部分绝缘。控制栅被设置在浮栅上方并与其绝缘。擦除栅被设置在第一区域上方并与其绝缘，并且被设置成与所述浮栅横向相邻并与其绝缘。