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用于形成用在流化床反应器中的碳化硅的高纯度硅

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摘要

本发明涉及用于形成用在流化床反应器中的碳化硅的高纯度硅。本发明还公开了分段碳化硅衬，特别是在用于生产多晶硅覆层的颗粒材料的流化床反应器中使用的分段碳化硅衬，以及制造和使用所述分段碳化硅衬的方法。还公开了用于联结碳化硅区段的无污染粘合材料。一个或多个所述碳化硅区段可以由反应粘合的碳化硅构造而成。

公开/公告号CN105463405B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-04

原文格式PDF
申请/专利权人陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司;
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申请/专利号CN201410461379.6
发明设计人迈克尔·V·斯潘格勒;马修·J·米勒;塞法·耶尔马兹;
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申请日2014-09-11
分类号C23C16/442(20060101);C23C16/24(20060101);C30B28/14(20060101);C30B29/06(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人杨青;穆德骏
地址 719314 陕西省榆林市榆佳工业园
入库时间 2022-08-23 11:07:35

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-08-04

授权

授权
2019-01-22

专利申请权的转移 IPC(主分类):C23C16/442 登记生效日:20190104 变更前: 变更后: 申请日:20140911

专利申请权、专利权的转移
2017-07-28

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/442 申请日:20140911

实质审查的生效
2016-04-06

公开

公开

1. 用于形成用在流化床反应器中的碳化硅的高纯度硅 [P] . 中国专利： CN105463405B . 2020.08.04
2. 用于形成用在流化床反应器中的碳化硅的高纯度硅 [P] . 中国专利： CN105463405A . 2016-04-06
3. HIGH PURITY SILICON TO FORM SILICON CARBIDE FOR USE IN A FLUIDIZED BED REACTOR [P] . IN201717006781A . 2017-06-23

机译：高纯度硅形成碳化硅，用于流化床反应器
4. HIGH-PURITY SILICON TO FORM SILICON CARBIDE FOR USE IN A FLUIDIZED BED REACTOR [P] . 世界知识产权组织专利： WO2016025013A1 . 2016-02-18

机译：高纯度硅形成碳化硅，用于流化床反应器
5. HIGH-PURITY SILICON TO FORM SILICON CARBIDE FOR USE IN A FLUIDIZED BED REACTOR [P] . 美国专利： US2016045881A1 . 2016-02-18

机译：高纯度硅形成碳化硅，用于流化床反应器