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公开/公告号CN109040623B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-31
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第四十四研究所;
申请/专利号CN201810960138.4
发明设计人 任思伟;祝晓笑;刘昌举;李明;刘戈扬;
申请日2018-08-22
分类号H04N5/353(20110101);H04N5/235(20060101);
代理机构50235 重庆乾乙律师事务所;
代理人侯懋琪;侯春乐
地址 400060 重庆市南岸区花园路14号电子44所
入库时间 2022-08-23 11:07:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-31
授权
2019-01-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H04N5/353 申请日:20180822
实质审查的生效
2018-12-18
公开
机译: CMOS图像传感器,时序控制方法及其曝光方法
机译: CMOS图像传感器,其时序控制方法和曝光方法
机译:CMOSIS读取曝光的数据并同时曝光下一帧CMOS图像传感器以实现机器视觉
机译:FPGA和SD卡的各种时序由微电脑写入:CMOS图像传感器图像处理板设计
机译:FPGA产生各种时序并用微机写入SD卡很重要:CMOS图像传感器图像处理板设计
机译:5.5用于多曝光单帧计算成像的双路流水线代码存储编码曝光像素CMOS图像传感器
机译:每像素编码曝光CMOS图像传感器
机译:使用标准BSI工艺制造的3.0μm三倍增益像素的90 dB以上场景内单曝光动态范围CMOS图像传感器
机译:固定光电二极管CMOS图像传感器曝光过程的分析建模
机译:具有CmOs图像传感器的单基板相机设备