声明
第1章 绪论
1.1 图像传感器概述
1.2 全局曝光CMOS图像传感器的发展现状
1.3 选题的目的和意义
1.4 本文的内容安排
第2章 全局曝光CMOS图像传感器架构
2.1 电子快门曝光模式
2.2 CMOS图像传感器的读出方式
2.3 全局曝光像素结构
2.3.1 5T全局曝光像素
2.3.2 7T全局曝光像素
2.3.3 电压域全局曝光像素
2.3.4 8T全局曝光像素
2.4 CMOS图像传感器ADC
2.4.1芯片级ADC
2.4.2像素级ADC
2.4.3列级ADC
2.5 CMOS图像传感器架构
2.6 本章小结
第3章 全局曝光CMOS图像传感器像素研究
3.1 像作基本原理
3.2 CMOS图像传感器像素的性能参数
1. 填充因子(Fill Factor)
2. 满阱容量(Full Well Capacity,FWC)
3. 量子效率(Quantum Efficiency, QE)
4. 动态范围(Dynamic Range, DR)
5. 信噪比(Signal to Noise Ratio, SNR)
6. 转换增益(Conversion Gain, CG)
3.3 全局曝光像素设计
3.3.1 像素结构选择
3.3.2 像素工作时序说明
3.3.3 8T像素结构噪声分析
3.3.4 像素设计指标
3.3.5 像素具体设计
3.3.6 仿真结果
3.3.7 8T全局曝光像素版图设计
3.3.8 8T全局曝光像素版图
3.4 本章小结
第4章 基于数字域相关双采样列级单斜ADC设计
4.1 数字域相关双采样技术
4.2 数字域相关双采样单斜ADC设计及工作原理
4.2.1 数字域相关双采样列级单斜ADC总体设计
4.2.2 数字域相关双采样列级单斜ADC工作原理
4.3 比较器设计
4.3.1 比较器特性分析
4.3.2 比较器设计
4.4 斜坡发生器的设计
4.4.1 DAC的选型与原理分析
4.4.2 非理想因素分析
4.4.3 DAC单位电容总数
4.4.4 DAC单位电容值
4.5 单位增益缓冲器的设计
4.5.1 单位增益缓冲器设计指标
4.5.2 单位增益器仿真结果
4.5.3 斜坡发生器仿真结果
4.6 列级ADC的仿真验证
4.7 本章小结
第5章 全局曝光CMOS图像传感器芯片总体实现
5.1 总体时序设计说明
5.2 全局曝光CMOS图像传感器芯片
5.2.1 全局曝光CMOS图像传感器芯片设计
5.2.2 全局曝光CMOS图像传感器芯片版图
5.2.3 全局曝光CMOS图像传感器芯片性能总结
5.3 本章小结
第6章 总结和展望
6.1 工作总结
6.2 后续工作展望
参考文献
发表论文和参加科研情况说明
致谢