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基于周期性光栅化栅极金属栅MOSFET太赫兹探测器

摘要

本发明公开了一种基于周期性光栅化栅极金属栅MOSFET太赫兹探测器,包括具有周期性光栅化栅极及其各种不同图案形式的金属栅MOSFET、低噪声前置放大器和电压反馈回路;金属栅MOSFET的栅极用于接收太赫兹信号,金属栅MOSFET的栅极经一号偏置电阻连接一号偏置电压源,金属栅MOSFET的源极接地,金属栅MOSFET的漏极和低噪声前置放大器的正向输入端之间连接有一号隔直电容;低噪声前置放大器的正向输入端经二号偏置电阻连接二号偏置电压源;所述电压反馈回路包括反馈电阻、接地电阻、二号隔直电容和三号隔直电容。本发明通过调节栅极的光栅化结构参数来实现THz响应波段范围的调节,从而提高太赫兹探测器的探测灵敏度。

著录项

  • 公开/公告号CN109541712B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN201811456308.1

  • 发明设计人 马建国;周绍华;

    申请日2018-11-30

  • 分类号G01V8/10(20060101);

  • 代理机构12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所;

  • 代理人吴学颖

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2022-08-23 11:06:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-28

    授权

    授权

  • 2019-04-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01V8/10 申请日:20181130

    实质审查的生效

  • 2019-03-29

    公开

    公开

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