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公开/公告号CN109541712B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-28
原文格式PDF
申请/专利权人 天津大学;
申请/专利号CN201811456308.1
发明设计人 马建国;周绍华;
申请日2018-11-30
分类号G01V8/10(20060101);
代理机构12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所;
代理人吴学颖
地址 300072 天津市南开区卫津路92号
入库时间 2022-08-23 11:06:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-28
授权
2019-04-23
实质审查的生效 IPC(主分类):G01V8/10 申请日:20181130
实质审查的生效
2019-03-29
公开
机译: 基于周期性光栅化栅极的金属栅极MOSFET太赫兹检测器
机译: 基于非周期性光栅化栅极的金属栅极MOSFET太赫兹检测器
机译: 基于周期性光栅化漏极的金属栅极MOSFET太赫兹检测器
机译:基于非对称双栅栅极HEMT结构的超高灵敏度等离子体太赫兹探测器
机译:基于周期性波纹金属缝隙波导的紧凑型三维太赫兹谐振器
机译:基于带薄金属吸收器的钻孔计的高效宽带太赫兹辐射探测器
机译:快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究,用于未来的ULSI MOSFET器件集成:氧化锆和氧化ha。
机译:使用快速太赫兹量子阱光电探测器的6.2 GHz调制太赫兹光检测
机译:通过减少MOSFET寄生电容来提高CMOS太赫兹探测器的性能
机译:新型太赫兹频谱仪,集成了广泛可调谐的单色太赫兹光源和探测器,或发射器和探测器阵列,带有光子带隙晶体