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一种基于线偏振的光纤耦合器及其制造与使用方法

摘要

本发明公开了一种基于线偏振的光纤耦合器及其制造与使用方法,涉及微纳光学及偏振光学领域,该光纤耦合器包括基底和硅纳米棒阵列,硅纳米棒阵列由刻蚀在基底上的多个硅纳米棒单元排列而成,同一硅纳米棒单元中的硅纳米棒的结构参数相同;不同的硅纳米棒单元的硅纳米棒为具有不同结构参数的长方体形,当入射光垂直入射时,偏振方向沿上述硅纳米棒长边和短边的光发生反射和透射,硅纳米棒的长、宽、高被配置成各上述硅纳米棒单元的相位延迟等于光转化后的光纤模式的相位分布。本发明的光纤耦合器具有较小的尺寸结构,插入损耗小,相位调节精确,可实现将入射光中的两种不同的线偏振光转化为两个不同的光纤模式,减少了光学装置的复杂度。

著录项

  • 公开/公告号CN109239851B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉邮电科学研究院有限公司;

    申请/专利号CN201810942647.4

  • 申请日2018-08-17

  • 分类号G02B6/27(20060101);

  • 代理机构42225 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人张凯

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号

  • 入库时间 2022-08-23 11:06:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-28

    授权

    授权

  • 2019-02-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B6/27 申请日:20180817

    实质审查的生效

  • 2019-01-18

    公开

    公开

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