包括超晶格耗尽层堆叠的半导体装置和相关方法

摘要

一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：衬底上交替的超晶格层和体半导体层的堆叠，每个超晶格层包括多个堆叠的层组，所述超晶格层的每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层和约束在相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。所述半导体装置可以进一步包括在所述交替的超晶格层和体半导体层的堆叠的上部体半导体层中的间隔开的源极区和漏极区，以及在间隔开的源极区和漏极区之间，在所述上部体半导体层上的栅极，和延伸穿过体层和超晶格层并进入衬底的STI区，并且可以用交替的掺杂剂导电类型对体层进行掺杂。