一种高度石墨化超薄碳膜包覆SiC纳米线的制备方法

摘要

本发明纳米材料制备技术领域，涉及一种高度石墨化超薄碳膜包覆SiC纳米线的制备方法。所述制备方法包括以下步骤：将氮掺杂SiC纳米线置于氢氟酸水溶液中浸泡10‑20min，然后分别以氮掺杂SiC纳米线、铂片电极、碳量子点水溶液作为工作电极、对电极以及电解液，在2‑3V电压下沉积1.5‑3h，将沉积后的氮掺杂SiC纳米线在850‑950℃温度，惰性气体保护下煅烧20‑40min。