一种单片微波集成电路中静电防护结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种单片微波集成电路中静电防护结构，在晶体管的基区‑发射区、基区‑集电区之间分别并联设置有呈背对背结构设置的二极管组；每一个所述二极管组中包括两个二极管，两个二极管的阳极相互连接或者阴极相互连接形成背对背结构。本发明提供了一种单片微波集成电路中静电防护结构，有效降低静电防护结构在集成电路中所占用的面积大小。本发明还提供了上述静电防护结构的制造方法。