一种单片微波集成电路中静电防护结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种单片微波集成电路中静电防护结构，在晶体管的基区‑发射区、基区‑集电区之间分别并联设置有呈背对背结构设置的二极管组；每一个所述二极管组中包括两个二极管，两个二极管的阳极相互连接或者阴极相互连接形成背对背结构。本发明提供了一种单片微波集成电路中静电防护结构，有效降低静电防护结构在集成电路中所占用的面积大小。本发明还提供了上述静电防护结构的制造方法。

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路领域，尤其涉及集成电路中的静电防护结构。

背景技术

自然界的静电放电(ESD)现象对集成电路的可靠性构成严重的威胁。在工业界，集成电路产品的失效30％都是由于遭受静电放电现象所引起的，而且越来越小的工艺尺寸，更薄的栅氧厚度、基区都使得集成电路受到静电放电破坏的几率大大增加。因此，改善集成电路静电放电防护的可靠性对提高产品的成品率具有不可忽视的作用。

静电放电现象的模式通常分为四种：HBM(人体放电模式)，MM(机器放电模式)，CDM(组件充电放电模式)以及电场感应模式(FIM)。而最常见也是工业界产品必须通过的两种静电放电模式是HBM和MM。当发生静电放电时，电荷通常从芯片的一只引脚流入而从另一只引脚流出，此时静电电荷产生的电流通常高达几个安培，在电荷输入引脚产生的电压高达几伏甚至几十伏。如果较大的ESD电流流入内部芯片则会造成内部芯片的损坏，同时，在输入引脚产生的高压也会造成内部器件发生栅氧、基区击穿现象，从而导致电路失效。因此，为了防止内部芯片遭受ESD损伤，对芯片的每个引脚都要进行有效的ESD防护，对ESD电流进行泄放。

在集成电路的正常工作状态下，静电放电保护器件是处于关闭的状态，不会影响输入输出引脚上的电位。而在外部静电灌入集成电路而产生瞬间的高电压的时候，这个器件会开启导通，迅速的排放掉静电电流。

ESD静电因为时间短，能量大，往往对电路产生瞬间的冲击导致电路中各器件的损坏。这就要求ESD防护结构不但要有很好的电流泄放能，而且对于ESD静电有一种较快的反应速度。

现有技术中的静电防护结构都是使用串联连接的二极管形成的二极管串，将二极管串连接在晶体管的基极和集电极、基极和发射极之间。当没有ESD静电发生时，电流不经过二极管串，晶体管正常工作。当发生ESD静电时，二极管串导通，使得ESD静电从二极管串中流过，不会对晶体管产生损伤。上述结构的缺点在于，二极管串所要占用的集成电路面积比较大。对于当前nm级的制程工艺下，集成电路的版图面积非常有限，如果被二极管串占用了大量的面积，无疑会造成很大的浪费。

发明内容

本发明所要解决的主要技术问题是提供一种单片微波集成电路中静电防护结构，有效降低静电防护结构在集成电路中所占用的面积大小。

本发明所要解决的另一主要技术问题是提供上述静电防护结构的制造方法。

为了解决上述的技术问题，本发明提供了一种单片微波集成电路中静电防护结构，在晶体管的基区-发射区、基区-集电区之间分别并联设置有呈背对背结构设置的二极管组；每一个所述二极管组中包括两个二极管，两个二极管的阳极相互连接或者阴极相互连接形成背对背结构。

在一较佳实施例中：所述晶体管为HBT管。

本发明还提供了一种单片微波集成电路中静电防护结构，包括至少一个制备在外延片上的晶体管，在外延片上制备有独立于所述晶体管的两个二极管；两个二极管共用一个阻挡层，并且两个二极管分别具有依次层叠设置在阻挡层上的收集层、基极层和发射层；两个二极管彼此的收集层、基极层和发射层相互独立设置，形成阴极相互连接的背对背二极管组；

其中一个二极管的阳极连接至晶体管的基区，另一个二极管的阳极连接至晶体管的集电区；或者，其中一个二极管的阳极连接至晶体管的基区，另一个二极管的阳极连接至晶体管的发射区。

本发明还提供了一种单片微波集成电路中静电防护结构，包括至少一个制备在外延片上的晶体管，在外延片上制备有独立于所述晶体管的两个二极管；两个二极管共用阻挡层、收集层和基极层，并且两个二极管分别具有层叠设置在基极层上的发射层；两个二极管彼此的发射层相互独立设置，形成阳极相互连接的背对背二极管组；

其中一个二极管的阴极连接至晶体管的基区，另一个二极管的阴极连接至晶体管的集电区；或者，其中一个二极管的阴极连接至晶体管的基区，另一个二极管的阴极连接至晶体管的发射区。

在一较佳实施例中：所述晶体管为HBT管。

本发明还提供了一种单片微波集成电路中静电防护结构的制造方法，包括如下步骤：

1)在外延片上通过化学腐蚀过程或者干法刻蚀制备出至少一个晶体管，所述外延片在晶体管以外的区域还具有阻挡层、收集层、基极层和发射层；

2)通过化学腐蚀过程或者干法刻蚀在所述阻挡层、收集层、基极层和发射层中制备两个二极管，两个二极管共用阻挡层、收集层和基极层，并且两个二极管分别具有层叠设置在基极层上的发射层；两个二极管彼此的发射层相互独立设置，形成阳极相互连接的背对背二极管组；

3)通过金属连线，将其中一个二极管的阴极连接至晶体管的基区，另一个二极管的阴极连接至晶体管的集电区；或者，其中一个二极管的阴极连接至晶体管的基区，另一个二极管的阴极连接至晶体管的发射区。

本发明还提供了一种单片微波集成电路中静电防护结构的制造方法，包括如下步骤：

1)在外延片上通过化学腐蚀过程或者干法刻蚀制备出至少一个晶体管，所述外延片在晶体管以外的区域还具有阻挡层、收集层、基极层和发射层；

2)通过化学腐蚀过程或者干法刻蚀在所述阻挡层、收集层、基极层和发射层中制备两个二极管，两个二极管共用一个阻挡层；两个二极管彼此的收集层、基极层和发射层相互独立且层叠设置在阻挡层上，形成阴极相互连接的背对背二极管组；

3)通过金属连线，将其中一个二极管的阳极连接至晶体管的基区，另一个二极管的阳极连接至晶体管的集电区；或者，其中一个二极管的阳极连接至晶体管的基区，另一个二极管的阳极连接至晶体管的发射区。

相较于现有技术，本发明的技术方案具备以下有益效果：

1.本发明提供的一种单片微波集成电路中静电防护结构，当芯片发生静电放电时，HBT管的基区和衬底形成大的电压差，这样就会击穿HBT管的基区因此，在基区和发射区、基区和集电区附近加两个串联连接的反向二极管，当发生静电放电时，无论电流流向如何，两个二极管中总有一个会导通，从而就钳住了基区和衬底的电压差，而不会击穿基区。因此，本发明的结构可以在只使用两个二极管的情况下实现静电防护。相比于传统的同向二极管串联的方式，大大节约了静电防护结构所要占用的集成电路版图面积。

2.本发明提供的一种单片微波集成电路中静电防护结构的制造方法，二极管可以在制造晶体管时，同时使用化学或物理蚀刻的方法实现制作。这样静电防护的结构制作就与晶体管的制作同步化，无需为了静电防护结构增加新的制作工艺步骤。

附图说明

图1为本发明优选实施例1中静电防护结构的电路图；

图2为本发明优选实施例3中静电防护结构的微观结构图；

图3为本发明优选实施例4静电防护结构的微观结构图；

具体实施方式

以下实施例将结合以上附图对本发明作进一步的具体说明。

实施例1

参考图1，本实施例提供了一种单片微波集成电路中静电防护结构，在HBT管的基区-发射区、基区-集电区之间分别并联设置有呈背对背结构设置的二极管组；每一个所述二极管组中包括两个二极管，两个二极管的阳极相互连接形成背对背结构

当芯片发生静电放电时，HBT管的基区和衬底形成大的电压差，这样就会击穿HBT管的基区。因此，在基区和发射区、基区和集电区附近加两个串联连接的反向二极管，当发生静电放电时，无论电流流向如何，两个二极管中总有一个会导通，从而就钳住了基区和衬底的电压差，而不会击穿基区。因此，本发明的结构可以在只使用两个二极管的情况下实现静电防护。相比于传统的同向二极管串联的方式，大大节约了静电防护结构所要占用的集成电路版图面积。

实施例2

本实施例与实施例1的区别在于：所述二极管组中包括两个二极管，两个二极管的阴极相互连接形成背对背结构。其余部分与实施例1相同，工作原理也与实施例1一致，故不再进行赘述。

实施例3

参考图2，本实施例提供了一种单片微波集成电路中静电防护的微观结构，包括至少一个制备在GaAs基外延片上的HBT管，在GaAs基外延片上制备有独立于所述HBT管的两个二极管；两个二极管共用一个阻挡层n⁺-InGaP，并且两个二极管分别具有依次层叠设置在阻挡层n⁺-InGaP上的收集层n-GaAs、基极层p⁺-GaAs和发射层n⁺-GaAs；两个二极管彼此的收集层n-GaAs、基极层p⁺-GaAs和发射层n⁺-GaAs相互独立设置，形成阴极相互连接的背对背二极管组；

其中一个二极管的阳极BC Metal连接至HBT管的基区BC Metal，另一个二极管的阳极BC Metal连接至HBT管的集电区CC Metal；或者，其中一个二极管的阳极BC Metal连接至HBT管的基区BC Metal，另一个二极管的阳极连接至HBT管的发射区EC Metal。

上述静电防护结构的工作原理与实施例2相同，不再赘述。

实施例4

参考图3，本实施例提供了一种单片微波集成电路中静电防护结构，包括至少一个制备在GaAs基外延片上的HBT管，在GaAs基外延片上制备有独立于所述HBT管的两个二极管；两个二极管共用阻挡层n⁺-InGaP、收集层n-GaAs和基极层p⁺-GaAs，并且两个二极管分别具有层叠设置在基极层p⁺-GaAs上的发射层n⁺-GaAs；两个二极管彼此的发射层n⁺-GaAs相互独立设置，形成阳极相互连接的背对背二极管组；

其中一个二极管的阴极EC Metal连接至HBT管的基区BC Metal，另一个二极管的阴极EC Metal连接至HBT管的集电区CC Metal；或者，其中一个二极管的阴极EC Metal连接至HBT管的基区BC Metal，另一个二极管的阴极ECMetal连接至HBT管的发射区CC Metal。

上述静电防护结构的工作原理与实施例1相同，不再赘述。

实施例5

本实施例提供了一种单片微波集成电路中静电防护结构的制造方法，其制备的静电防护结构对应实施例3，其包括如下步骤：

1)在GaAs基外延片上通过化学腐蚀过程或者干法刻蚀制备出至少一个HBT管，所述GaAs基外延片在HBT管以外的区域具有阻挡层n⁺-InGaP、收集层n-GaAs、基极层p⁺-GaAs和发射层n⁺-GaAs；

2)通过化学腐蚀过程或者干法刻蚀在所述阻挡层n⁺-InGaP、收集层n-GaAs、基极层p⁺-GaAs和发射层n⁺-GaAs中制备两个二极管，两个二极管共用一个阻挡层n⁺-GaAs；两个二极管彼此的收集层n-GaAs、基极层p⁺-GaAs和发射层n⁺-GaAs相互独立且层叠设置在阻挡层n⁺-InGaP上，形成阴极相互连接的背对背二极管组；

3)通过金属连线，将其中一个二极管的阳极BC Metal连接至HBT管的基区BCMetal，另一个二极管的阳极BC Metal连接至HBT管的集电区CC Metal；或者，其中一个二极管的阳极BC Metal连接至HBT管的基区BC Metal，另一个二极管的阳极BC Metal连接至HBT管的发射区EC Metal。

实施例6

本实施例提供了一种单片微波集成电路中静电防护结构的制造方法，其制备的静电防护结构对应实施例4，其包括如下步骤：

1)在GaAs基外延片上通过化学腐蚀过程或者干法刻蚀制备出至少一个HBT管，所述GaAs基外延片在HBT管以外的区域具有阻挡层n⁺-InGaP、收集层n-GaAs、基极层p⁺-GaAs和发射层n⁺-GaAs；

2)通过化学腐蚀过程或者干法刻蚀在所述阻挡层n⁺-InGaP、收集层n-GaAs、基极层p⁺-GaAs和发射层n⁺-GaAs中制备两个二极管，两个二极管共用阻挡层n⁺-InGaP、收集层n-GaAs和基极层p⁺-GaAs，并且两个二极管分别具有层叠设置在基极层上的发射层n⁺-GaAs；两个二极管彼此的发射层n⁺-GaAs相互独立设置，形成阳极相互连接的背对背二极管组；

3)通过金属连线，将其中一个二极管的阴极CC Metal连接至HBT管的基区BCMetal，另一个二极管的阴极CC Metal连接至HBT管的集电区EC Metal；或者，其中一个二极管的阴极CC Metal连接至HBT管的基区BC Metal，另一个二极管的阴极CC Metal连接至HBT管的发射区EC Metal。

上述的一种单片微波集成电路中静电防护结构的制造方法，二极管可以在制造晶体管时，同时使用化学或物理蚀刻的方法实现制作。这样静电防护的结构制作就与晶体管的制作同步化，无需为了静电防护结构增加新的制作工艺步骤。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。