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硅中空梁、基于硅中空梁的硅微加速度计及其制备方法

摘要

本发明公开了一种硅中空梁、基于硅中空梁的硅微加速度计及其制备方法,硅中空梁包括由SOI硅片采用干法腐蚀加工工艺形成的梁本体,且其横截面为中空形;微加速度计包括连接为一体的硅敏感结构和硅基板,硅敏感结构包括支撑梁以及敏感质量块组件,支撑梁的横截面为前述的硅中空形梁,敏感质量块组件通过支撑梁固定于固定锚点上;制备方法包括采用干法腐蚀加工制备的硅敏感结构;将硅敏感结构与带有电容板组件和引线电极的硅基板采用硅‑硅低应力键合,得到微加速度计。本发明具有抗干扰能力强、器件面积小、成品率高、成本低、稳定性高、加工质量高、加工鲁棒性好、应用范围广的优点。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-17

    授权

    授权

  • 2018-04-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01P15/125 申请日:20170929

    实质审查的生效

  • 2018-03-09

    公开

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