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一种提高闪存数据存储可靠性的方法及系统

摘要

本申请公开了一种提高闪存数据存储可靠性的方法及系统,用于固态硬盘,所述方法包括:接收硬件纠错模块发送的第一数据块上的待读取数据,根据软件纠错算法对所述待读取数据进行数据纠错;当所述待读取数据进入预设纠错步骤、且在所述软件纠错模块纠错成功,将所述第一数据块进行标记;判断所述第一数据块被标记的次数是否达到预设阈值;如果所述第一数据块被标记的次数未达到所述预设阈值,将纠错后的所述待读取数据写入第二数据块,以及将除所述待读取数据以外的所述第一数据块上的数据搬移。本申请提供的提高闪存数据存储可靠性的方法及系统,在Nand使用中提高数据存储可靠性,提高了固态硬盘中数据存储可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN107391300B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖南国科微电子股份有限公司;

    申请/专利号CN201710617886.8

  • 发明设计人 杨帆;姜黎;彭鹏;

    申请日2017-07-26

  • 分类号G06F11/10(20060101);

  • 代理机构11363 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人逯长明;许伟群

  • 地址 410100 湖南省长沙市经济技术开发区东十路南9号

  • 入库时间 2022-08-23 11:05:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-14

    授权

    授权

  • 2017-12-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F11/10 申请日:20170726

    实质审查的生效

  • 2017-11-24

    公开

    公开

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