一种单/双频段可调谐太赫兹波超材料吸收器

摘要

本发明涉及超材料及太赫兹波应用技术领域，提供了一种单/双频段可调谐太赫兹波超材料吸收器，目的是解决现有可调谐太赫兹波超材料吸收器频段单一，实现单频段和双频段吸收效果的任意切换。一种单/双频段可调谐太赫兹波超材料吸收器，包括上层图案化层、中间介质层和下层金属底板；所述上层图案化层由金属‑半导体硅谐振器周期平铺排列而成，所述金属‑半导体硅谐振器为方形环结构和十字形结构所组成的“田”字形结构，所述方形环结构四角和十字形结构顶端分别嵌入了半导体硅。本发明可实现双频段和单频段完美吸收效果的任意切换。