一种降低硅抛光片表面粗糙度的加工方法

摘要

本发明公开了一种降低硅抛光片表面粗糙度的加工方法。该方法包括利用抛光布、抛光液对硅片进行化学机械抛光处理的过程，该过程包括粗抛过程、中抛过程和精抛过程；粗抛过程、中抛过程和精抛过程分别按四个阶段进行，其中，中抛过程的第一至第二阶段采用研磨剂为粒径在20‑200纳米的SiO₂颗粒的碱性抛光液B，该抛光液中所含SiO₂胶体与去离子水的体积比为1∶(15‑40)；中抛过程第三阶段采用研磨剂为粒径在3‑50纳米的SiO₂颗粒的碱性抛光液C，该抛光液中所含SiO₂胶体与去离子水的体积比为1∶(30‑100)；中抛过程的各阶段温度控制在20℃‑40℃。采用本发明，可以有效降低硅抛光片表面的粗糙度，提高后序加工过程中的图形良率。