公开/公告号CN109536817B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-07
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院力学研究所;
申请/专利号CN201811375433.X
申请日2018-11-19
分类号
代理机构北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人胡剑辉
地址 100190 北京市海淀区北四环西路15号
入库时间 2022-08-23 11:04:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-07
授权
授权
2019-04-23
实质审查的生效 IPC(主分类):C22C30/00 申请日:20181119
实质审查的生效
2019-03-29
公开
公开
机译: 一种具有钳制接触的场效应晶体管的制备方法,其具有较低一致性的蚀刻停止层和场效应晶体管
机译: 一种具有钛-钨层的半导体器件的制备方法。
机译: 一种具有多重恐惧效应的纳米结构薄膜的制备方法及其应用