法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-07
授权
授权
2017-07-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20170217
实质审查的生效
2017-06-13
公开
公开
机译: 用于图像传感器的光敏单元具有从衬底表面延伸到电荷收集区和读取节点之间延伸的另一种P型导电性反钻孔区域的N型导电性防钻孔区域
机译: 用于在非平面表面上具有电荷平衡柱状结构的功率半导体器件的制造方法以及相应的功率半导体器件
机译: 用于在非平面表面上具有电荷平衡柱状结构的功率半导体器件的制造方法以及相应的功率半导体器件