法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-30
授权
授权
2018-12-21
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/30 申请日:20180329
实质审查的生效
2018-11-27
公开
公开
机译: 制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译: 异质结二极管,一种制造异质结二极管的方法和一种包括异质结二极管的电子设备
机译: 在隔离结构建立之前,在至少一个P-N结或异质材料界面的硅集成电路中用聚硅氮烷材料填充高纵横比隔离结构的方法