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应用于高频三极管中L型侧墙的制作方法

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本发明提供一种应用于高频三极管中L型侧墙的制作方法，包括：在N型外延层上形成Ploy层，在Ploy层上进行P+注入形成P+Ploy层并在其上形成第一LP TEOS层；依次对第一LP TEOS层和P+Ploy层进行刻蚀；在N型外延层上且在P+Ploy层侧面形成氧化层，同时在N型外延层进行P+扩散形成P+扩散层；在N型外延层内且在所述氧化层下进行基区注入以形成基区层；在氧化层和第一LP TEOS层上形成LP SIN层；在LP SIN层上形成第二LP TEOS层；对第二LP TEOS层各向异性回刻，形成SIO

著录项

公开/公告号CN107393823B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-30

原文格式PDF
申请/专利权人北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司;
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申请/专利号CN201610327208.3
发明设计人石金成;马万里;高振杰;李杰英;崔永军;
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申请日2016-05-17
分类号
代理机构北京路浩知识产权代理有限公司;
代理人李相雨
地址 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦
入库时间 2022-08-23 11:03:30

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-06-30

授权

授权
2017-12-22

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/331 申请日:20160517

实质审查的生效
2017-11-24

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1. 应用于高频三极管中L型侧墙的制作方法 [P] . 中国专利： CN107393823B . 2020.06.30
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