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考虑交叉耦合效应的IPMSM低速段无位置传感器控制方法

摘要

本发明公开了一种考虑交叉耦合效应的IPMSM低速段无位置传感器控制方法,具体步骤:首先构建电机基于旋转高频信号注入法的无位置传感器矢量控制系统,旋转高频电压矢量从αβ轴系注入,用一个带通滤波器滤出高频电流响应iαβi,再用一个高频同步轴系高通滤波器滤出高频负序电流iαβin;其次离线测量电机在不同id、iq处的交叉耦合因子λ,并拟合出λ关于id、iq的近似关系式,利用此关系式根据无位置传感器控制下的id、iq解出此时的λ值;最后结合λ对iαβin中的实际转子位置θr和因交叉耦合产生的角度偏差θm实现解耦,用改进的锁相环估计出转子位置。本发明结合交叉耦合因子来处理高频负序电流,消除了交叉耦合效应对旋转高频注入法估算精度的影响。

著录项

  • 公开/公告号CN108900127B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京理工大学;

    申请/专利号CN201810698471.2

  • 发明设计人 言钊;颜建虎;费晨;汪盼;姚超;

    申请日2018-06-29

  • 分类号H02P21/04(20060101);H02P21/18(20160101);H02P21/24(20160101);H02P6/18(20160101);

  • 代理机构32203 南京理工大学专利中心;

  • 代理人朱沉雁

  • 地址 210094 江苏省南京市玄武区孝陵卫200号

  • 入库时间 2022-08-23 11:03:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-26

    授权

    授权

  • 2018-12-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H02P21/04 申请日:20180629

    实质审查的生效

  • 2018-11-27

    公开

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